Advanced High-Power Microwave Vacuum Electron Device Development

机译：先进的大功率微波真空电子器件开发

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Bohlen, H P;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1999
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Prospects for the Development of a New Class of Low-Voltage Multibeam Vacuum Microwave Electronic Devices with Distributed Transverse-Extended Interaction [J] . Yu. V. Gulyaev, N. I. Sinitsyn, Yu. F. Zakharchenko Journal of Communications Technology and Electronics . 2005,第9期

机译：新型的具有分布横向扩展相互作用的低压多光束真空微波电子设备的发展前景
2. Review of Progress in Indigenous Design, Development & Production of Microwave Vacuum-electronic Devices [J] . LALIT KUMAR, KU LIMAYE IETE Technical Review . 2003,第2期

机译：微波真空电子器件本地设计，开发和生产的进展回顾
3. Fundamental limitations on the use of field-emission structures as cathodes of high-power vacuum microwave pulse devices [J] . Darmaev A. N., Komarov D. A., Maslennikov S. P., Journal of Communications Technology and Electronics . 2015,第9期

机译：使用场发射结构作为大功率真空微波脉冲设备阴极的基本限制
4. Advanced high-power microwave vacuum electron device development [C] . Bohlen, H.P. . 1999

机译：先进的大功率微波真空电子器件开发
5. Formation and transport of high-perveance electron beams for high-power, high-frequency microwave devices. [D] . Basten, Mark A. 1996

机译：用于大功率，高频微波设备的高能电子束的形成和传输。
6. Theoretical predicted high-thermal-conductivity cubic Si3N4 and Ge3N4: promising substrate materials for high-power electronic devices [O] . Huimin Xiang, Zhihai Feng, Zhongping Li, -1

机译：理论预测的高导热立方晶Si3N4和Ge3N4：大功率电子设备的有前途的衬底材料
7. Development of High Power Electron Beam Measuring and Analyzing System for Microwave Vacuum Electron Devices [O] . Ruan C.J., Wu X.L., Li Q.S., 2012

机译：微波真空电子器件大功率电子束测量分析系统的研制

Advanced High-Power Microwave Vacuum Electron Device Development

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅